-
ตัวต้านทานแบบฟิล์มหนา
TOL สูงและ TCR ต่ำ ไม่เป็นอุปนัย กำลังไฟฟ้าสูงมาก และแรงดันไฟฟ้าสูง -
หม้อแปลงไฟฟ้า
ตอบโจทย์การพัฒนา "ดิจิทัล อัจฉริยะ และเครือข่าย" และ "ระบบอัตโนมัติแบบบูรณาการของสถานีย่อย" -
ชุดระบายความร้อน IGBT
การตีขึ้นรูปเย็นยังให้ข้อได้เปรียบที่เหนือกว่าการตัดเฉือน การปั๊มแบบก้าวหน้า การหล่อ การเชื่อม และกระบวนการผลิตอื่น ๆ ในผลลัพธ์ที่ได้ -
ตัวต้านทานระบายความร้อนด้วยของเหลว
ใช้น้ำหรือสารหล่อเย็นเพื่อกระจายความร้อน
สินค้าใหม่
-
ตัวต้านทานแบบกำหนดเอง
บริการ เรานำเสนอโซลูชั่นตัวต้านทานเฉพาะตัวที่หลากหลายแก่ลูกค้าห้องปฏิบัติการทดสอบภายในทำให้เราสามารถทำการทดสอบเชิงประจักษ์ได้อย่างรวดเร็วไม่เพียงแต่โซลูชั่นในเทคโนโลยีฟิล์มหนาเท่านั้น แต่ยังมีตัวต้านทานเฉพาะในสแตนเลสรุ่นต่างๆ ที่ได้รับการปรับแต่งให้เหมาะกับการใช้งานที่เกี่ยวข้องอีกด้วยเรายินดีต้อนรับซีรีส์ปริมาณต่ำแต่ละชุดเพื่อให้คุณได้รับตัวต้านทานที่มีส่วนช่วยอย่างยิ่งต่อความสำเร็จของผลิตภัณฑ์และโครงการของคุณ
-
ตัวต้านทานการดูดซับพัลส์สูงซีรีส์ JEP
การลดพิกัด ขนาดเป็นมิลลิเมตร ข้อมูลจำเพาะ ช่วงความต้านทาน 200Ω -1GΩ ความทนทานต่อความต้านทาน ±0.5%~± 10% ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ ±25PPM/°C~±80PPM/°C(25°C~105°C) ตามคำขอพิเศษอุณหภูมิในการทำงาน 225 ℃ วัสดุตะกั่ว OFHC ทองแดง ชุบนิกเกิล ตามคำขอพิเศษสำหรับแรงดันไฟฟ้าและขนาดที่แตกต่างกัน ข้อมูลการสั่งซื้อ ประเภท ค่าโอห์มมิก TOL JCP65 60K 1% 25PPM
-
ซีรีส์ UPR/UPSC ตัวต้านทานฟิล์มโลหะความแม่นยำสูง
ขนาดการลดพิกัด ขนาดเป็นมิลลิเมตร (นิ้ว) UPSC UPR A 7.50±0.20 10.50±0.30 (0.295±0.008) (0.413±0.012) B 8.50±0.20 9.00±0.30 (0.335±0.008) (0.354±0.012) C 2.50±0.20 4.00± 0.30 (0.098±0.008) (0.157±0.012) ง 0.63±0.20 0.63±0.0.05 (0.025±0.008) (0.025±0.002) ง 3.81±0.38 7.62±0.38 (0.150±0.015) (0.300±0.0 15) ฉ 25± 1 18±5 (0.98±0.04) (0.71±0.196) องค์ประกอบทางเทคนิคและมาตรฐาน...
-
ตัวต้านทานกระแสไฟแบบฟิล์มโลหะความแม่นยำสูงซีรีส์ EE
การลดพิกัด การลดพิกัด (ต้านทานความร้อน) SUP600: 8.47W/K (0.12 K/W) อัตรากำลัง: 600 W ที่อุณหภูมิเคสด้านล่าง 85°C ค่านี้ใช้ได้เฉพาะเมื่อใช้การนำความร้อนกับแผงระบายความร้อน Rth-cs<0.025 เค/ดับบลิวค่านี้สามารถหาได้โดยใช้สารประกอบการถ่ายเทความร้อนที่มีค่าการนำความร้อนอย่างน้อย 1 W/mKความเรียบของแผ่นทำความเย็นต้องดีกว่าโดยรวม 0.05 มม.ความหยาบผิวไม่ควรเกิน 6.4 μmขนาดเป็นมิลลิเมตร ข้อมูลจำเพาะ ความต้านทาน r...
-
ตัวต้านทานแบบแม่นยำ PBA ซีรีส์
การลดพิกัด การลดพิกัด (ต้านทานความร้อน) SUP300: 4.24W/K (0.24 K/W) อัตรากำลัง: 300 W ที่อุณหภูมิเคสด้านล่าง 85°C ค่านี้ใช้ได้เฉพาะเมื่อใช้การนำความร้อนกับแผงระบายความร้อน Rth-cs<0.025 เค/ดับบลิวค่านี้สามารถหาได้โดยใช้สารประกอบการถ่ายเทความร้อนที่มีค่าการนำความร้อนอย่างน้อย 1 W/mKความเรียบของแผ่นทำความเย็นต้องดีกว่าโดยรวม 0.05 มม.ความหยาบผิวไม่ควรเกิน 6.4 μmขนาดเป็นมิลลิเมตร ข้อมูลจำเพาะ ความต้านทาน r...
-
ตัวต้านทาน MCP ซีรีส์
การลดพิกัด ขนาดเป็นมิลลิเมตร ข้อกำหนดทางเทคนิคและมาตรฐานทางไฟฟ้า ประเภท วัตต์ 25°C สูงสุดkV ขนาดเป็นมิลลิเมตร (นิ้ว) A(±0.50/±0.02) B (±0.50/±0.02) C(±0.50/±0.02) MCP05 0.5 3000 12.90/0.51 3.40/0.13 10.20/0.40 MCP07 0.65 4500 17.15/0.68 3.40 /0.13 15.24/0.60 MCP12 1.20 5,000 20.00/0.78 5.08/0.20 17.78/0.70 MCP16 1.60 8000 25.60/1.01 5.30/0.21 22.90/0.90 MCP30 3.00 9000 3 8.30/1.51...
-
ตัวต้านทานซีรีส์ JCP สำหรับหม้อแปลงไฟฟ้าอิเล็กทรอนิกส์
การลดพิกัด ขนาดเป็นมิลลิเมตร ข้อกำหนดทางเทคนิคและมาตรฐานทางไฟฟ้า ประเภท วัตต์ (W) แรงดันไฟฟ้าสูงสุด (KV) ช่วงความต้านทาน (Ω ) ขนาดเป็นมิลลิเมตร (นิ้ว) A (±1.00/±0.04) B (±1.00 /±0.04) JCP65/15 25 25 100- 1G 65.00/2.56 16.00/0.63 JCP80/15 30 35 100- 1G 80.00/3.15 16.00/0.63 JCP100/15 40 40 100- 1G 100.00/3.94 16.00/0.63 JCP130/15 45 50 100- 1G 130.00/5.12 16.00/0.63 JCP160/15 50 ...
-
ตัวต้านทานซีรีย์ SHV
การลดพิกัด การลดพิกัด (ต้านทานความร้อน) LXP100 /LXP100 L: 0.66 W/K (1.5 K/W) หากไม่มีแผงระบายความร้อน เมื่ออยู่ในที่โล่งที่อุณหภูมิ 25°C LXP100 /LXP100 L ได้รับพิกัด 3 W การลดพิกัดสำหรับอุณหภูมิ ที่สูงกว่า 25°C คือ 0.023 W/Kต้องใช้อุณหภูมิเคสเพื่อกำหนดขีดจำกัดกำลังที่ใช้การวัดอุณหภูมิเคสจะต้องดำเนินการโดยใช้เทอร์โมคัปเปิลที่สัมผัสกับศูนย์กลางของส่วนประกอบที่ติดตั้งบนแผงระบายความร้อนที่ออกแบบไว้ควรใช้จาระบีระบายความร้อนอย่างเหมาะสมค่านี้ใช้ได้เฉพาะเมื่อคุณ...
อุตสาหกรรมที่ให้บริการ
SHENZHEN SONGHOO CO., LTD พัฒนาและผลิตส่วนประกอบที่สำคัญตามหน้าที่ตลอดห่วงโซ่คุณค่าพลังงานทั้งหมด
ลูกค้าของเรา
